TSMCCoWoS技术的具体实现方法

据外媒Wccftech报道，TSMC最近几天公布了CoWoS封装技术路线图，并宣布第五代CoWoS技术已经应用并量产，可在基板上封装8个HBM2e缓存，总容量128GB。

TSMC的这项技术已经发展了很多年CoW是指在衬底上封装硅片，而WoW是指在基板上层压另一个基板

官方表示，第五代技术的晶体管数量是第三代技术的20倍新的封装技术将夹层面积增加了3倍，采用了全新的TSV解决方案和更粗的铜连接线目前，该技术已用于制造AMD MI200阿鲁迪巴专业计算卡，其中封装了两个GPU内核和八个HBM2e缓存

根据路线图，TSMC第六代CoWoS封装技术预计将于2023年推出它还在基板上封装了两个计算内核，并且可以在板上搭载多达12个HBM缓存芯片

TSMC还表示，新技术还采用了更好的导热方式第五代技术采用金属导热材料，热阻降低到上一代的0.15倍，有利于这类高性能芯片的散热

IT之家了解到，AMD在7月底透露，搭载CDNA 2架构的本能MI200 Alderbaran计算卡已经发货交付该产品拥有多达256个计算单元，总共16，384个流处理器和16个SE着色器单元

TSMC CoWoS技术的具体实现方法:

以下是TSMC考沃斯技术的详细描述:

官方数据显示，2022年将推出5nm，3nm工艺的芯片，芯片间互连线间距将从9微米逐渐减小到0.9微米，预计2035年前实现。